P1: ¿Acepta pedidos de muestra? R: Sí, aceptamos pedidos pequeños de 10 g, 100 g y 1 kg para su evaluación de la calidad de nuestros productos.
Las nanopartículas de cobre han atraído mucho interés en los últimos años debido a sus interesantes propiedades, preparación de bajo costo y muchas aplicaciones potenciales en catálisis, fluidos de enfriamiento o tintas conductoras. En este estudio, las nanopartículas de cobre se sintetizaron mediante la reducción química del sulfato de cobre CUSO4 y el borohidruro de sodio nabh ₄ en agua sin protección de gas inerte.
Con el desarrollo de la tecnología de circuito integrado (IC), la escala de los transistores de efecto de campo (FET) de óxido de metal basado en silicio (MOS) se está acercando a sus límites físicos fundamentales. Los nanotubos de carbono (CNT) se consideran materiales prometedores en la era posterior al silicio debido a su grosor atómico y propiedades eléctricas únicas, con el potencial de mejorar el rendimiento del transistor al tiempo que reducen el consumo de energía. Los nanotubos de carbono alineados de alta pureza (A-CNT) son una opción ideal para conducir IC avanzados debido a su alta densidad de corriente. Sin embargo, cuando la longitud del canal (LCH) disminuye por debajo de los 30 nm, el rendimiento de la compuerta única (SG) A-CNT FET disminuye significativamente, principalmente manifestada como las características de conmutación deterioradas y el aumento de la corriente de fuga. Este artículo tiene como objetivo revelar el mecanismo de degradación del rendimiento en la FET A-CNT a través de la investigación teórica y experimental, y proponer soluciones.
El cobre recubierto de grafeno y el cobre recubierto de plata tienen diferencias esenciales en la conductividad, cada una con sus propias ventajas y desventajas, y sus escenarios aplicables también son diferentes.
¿Cómo preparar el nanopowder Fe3O4 de polvo de óxido férrico? Presentemos brevemente el proceso de fabricación, y también puede seguir este método para hacerlo.
La tecnología de cobre con recubrimiento de plata es una tecnología de material de metal compuesto, y su polvo de cobre con recubrimiento de plata de producto está compuesto de cobre en el núcleo y la cubierta plateada que cubre su superficie. Un grosor típico de la capa de plata está entre 50 y 200 nanómetros, con un contenido de plata (relación de masa) de 5% -30%. En esta estructura, el núcleo de cobre juega un papel en proporcionar bajo costo y alta conductividad, mientras que la cubierta de plata es crucial para garantizar que las partículas resistan la oxidación durante procesos como la pulpa y la impresión, al tiempo que forma un buen contacto óhmico con la oblea de silicio de la batería o la película TCO. Después de la sinterización, la cubierta de plata actúa como un medio conductor, asegurando una baja resistencia de contacto y una adhesión confiable del electrodo, mientras que el núcleo de cobre reduce los costos del material al tiempo que dotan la lechada con cierta resistencia mecánica y estabilidad térmica.
