La modificación de la superficie del polvo de nitruro de silicio se logra principalmente mediante métodos físicos y químicos para mejorar las propiedades físicas y químicas de las partículas de nitruro de silicio.
La modificación de la superficie del polvo de nitruro de silicio se logra principalmente mediante métodos físicos y químicos para mejorar las propiedades físicas y químicas de las partículas de nitruro de silicio.
El cobre se diferencia de metales como el aluminio y el níquel en que es difícil formar una capa de pasivación intrínseca densa y estable en su superficie. Por lo tanto, la superficie de cobre expuesta se oxidará y corroerá continuamente por el oxígeno y el vapor de agua del aire. Cuanto menor sea el tamaño de las partículas y mayor la superficie específica del polvo de cobre, más fácil será oxidarlo rápidamente para producir productos como el óxido cuproso (Cu2O) y el óxido de cobre (CuO). Esta capa aislante de óxido reduce significativamente la conductividad del polvo de cobre y dificulta la conexión de sinterización de partículas, lo que resulta en una degradación del rendimiento de la pasta conductora.
Las nanopartículas de cobre han atraído mucho interés en los últimos años debido a sus interesantes propiedades, preparación de bajo costo y muchas aplicaciones potenciales en catálisis, fluidos de enfriamiento o tintas conductoras. En este estudio, las nanopartículas de cobre se sintetizaron mediante la reducción química del sulfato de cobre CUSO4 y el borohidruro de sodio nabh ₄ en agua sin protección de gas inerte.
Con el desarrollo de la tecnología de circuito integrado (IC), la escala de los transistores de efecto de campo (FET) de óxido de metal basado en silicio (MOS) se está acercando a sus límites físicos fundamentales. Los nanotubos de carbono (CNT) se consideran materiales prometedores en la era posterior al silicio debido a su grosor atómico y propiedades eléctricas únicas, con el potencial de mejorar el rendimiento del transistor al tiempo que reducen el consumo de energía. Los nanotubos de carbono alineados de alta pureza (A-CNT) son una opción ideal para conducir IC avanzados debido a su alta densidad de corriente. Sin embargo, cuando la longitud del canal (LCH) disminuye por debajo de los 30 nm, el rendimiento de la compuerta única (SG) A-CNT FET disminuye significativamente, principalmente manifestada como las características de conmutación deterioradas y el aumento de la corriente de fuga. Este artículo tiene como objetivo revelar el mecanismo de degradación del rendimiento en la FET A-CNT a través de la investigación teórica y experimental, y proponer soluciones.
El cobre recubierto de grafeno y el cobre recubierto de plata tienen diferencias esenciales en la conductividad, cada una con sus propias ventajas y desventajas, y sus escenarios aplicables también son diferentes.
