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La modificación de la superficie del polvo de nitruro de silicio se logra principalmente mediante métodos físicos y químicos para mejorar las propiedades físicas y químicas de las partículas de nitruro de silicio.

El tratamiento térmico es un paso clave en el proceso de aplicación de la impresión 3D. Hasta ahora, independientemente de qué proceso de impresión 3D se utilice, implica varios métodos para diversos grados, como limpieza en polvo, recocido, post curado, no compatible, pulido, arenado y coloreado. El tratamiento térmico también es un paso importante en el proceso de aplicación de las piezas impresas en 3D, y puede tomar varias formas dependiendo de los resultados esperados, los materiales utilizados y la tecnología preferida.

La síntesis de puntos cuánticos de carbono se puede dividir principalmente en dos categorías: método de arriba hacia abajo y método de abajo hacia arriba. Mediante el pretratamiento, la preparación y el procesamiento posterior, se puede controlar el tamaño de los puntos cuánticos de carbono, pasivarlos en la superficie, doparlos con heteroátomos y nanocompuestos para cumplir con los requisitos.

La microscopía electrónica de transmisión de nanopartículas (TEM) es una importante técnica de microscopía ampliamente utilizada para observar y caracterizar la estructura y morfología de partículas y materiales a nanoescala.

Con el desarrollo de la tecnología de circuito integrado (IC), la escala de los transistores de efecto de campo (FET) de óxido de metal basado en silicio (MOS) se está acercando a sus límites físicos fundamentales. Los nanotubos de carbono (CNT) se consideran materiales prometedores en la era posterior al silicio debido a su grosor atómico y propiedades eléctricas únicas, con el potencial de mejorar el rendimiento del transistor al tiempo que reducen el consumo de energía. Los nanotubos de carbono alineados de alta pureza (A-CNT) son una opción ideal para conducir IC avanzados debido a su alta densidad de corriente. Sin embargo, cuando la longitud del canal (LCH) disminuye por debajo de los 30 nm, el rendimiento de la compuerta única (SG) A-CNT FET disminuye significativamente, principalmente manifestada como las características de conmutación deterioradas y el aumento de la corriente de fuga. Este artículo tiene como objetivo revelar el mecanismo de degradación del rendimiento en la FET A-CNT a través de la investigación teórica y experimental, y proponer soluciones.

El grafeno de una sola capa se conoce como el "Rey de los Materiales" debido a su estructura de red de panal bidimensional única y características de banda electrónica, que exhiben un excelente rendimiento en conductividad y conductividad térmica. El siguiente es un análisis detallado de su conductividad y conductividad térmica: