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El polvo de SiC es un material ampliamente utilizado en diversas aplicaciones, como dispositivos electrónicos, recubrimientos y compuestos. Sin embargo, su aglomeración y dispersión inadecuada en medios acuosos limitan su eficacia. Por tanto, las técnicas de modificación de superficies son fundamentales para potenciar las propiedades del polvo de SiC. Este artículo analiza dos métodos para la modificación de la superficie del polvo de SiC ultrafino: modificación PDADMAC y PSS y modificación del tensioactivo AC1830.

La preparación de muestras de nanopolvo SEM generalmente requiere los siguientes pasos:

SAT nano suministro polvo de silicio utilizado para la batería. ¿Cuáles son los métodos de caracterización clave comúnmente utilizados en la investigación y el desarrollo de la batería, aquí hay alguna sugerencia?

Reordenamiento y densificación de partículas: en la sinterización de fase líquida, la generación de fase líquida y reordenamiento de partículas son pasos clave en la densificación. Las partículas pequeñas tienen una gran área de superficie específica y energía superficial. Después de generar la fase líquida, la fase sólida se humedece por la fase líquida y se infiltra en los espacios entre partículas. Si la cantidad de fase líquida es suficiente, las partículas de fase sólida estarán completamente rodeadas por la fase líquida y se aproximarán a un estado suspendido. Bajo la tensión superficial de la fase líquida, sufrirán desplazamiento y ajuste de la posición, logrando así la disposición más compacta. En esta etapa, la densidad del cuerpo sinterizado aumenta rápidamente

El cobre recubierto de grafeno y el cobre recubierto de plata tienen diferencias esenciales en la conductividad, cada una con sus propias ventajas y desventajas, y sus escenarios aplicables también son diferentes.

Con el desarrollo de la tecnología de circuito integrado (IC), la escala de los transistores de efecto de campo (FET) de óxido de metal basado en silicio (MOS) se está acercando a sus límites físicos fundamentales. Los nanotubos de carbono (CNT) se consideran materiales prometedores en la era posterior al silicio debido a su grosor atómico y propiedades eléctricas únicas, con el potencial de mejorar el rendimiento del transistor al tiempo que reducen el consumo de energía. Los nanotubos de carbono alineados de alta pureza (A-CNT) son una opción ideal para conducir IC avanzados debido a su alta densidad de corriente. Sin embargo, cuando la longitud del canal (LCH) disminuye por debajo de los 30 nm, el rendimiento de la compuerta única (SG) A-CNT FET disminuye significativamente, principalmente manifestada como las características de conmutación deterioradas y el aumento de la corriente de fuga. Este artículo tiene como objetivo revelar el mecanismo de degradación del rendimiento en la FET A-CNT a través de la investigación teórica y experimental, y proponer soluciones.